Spausdinti puslapį
IPB60R040C7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPB60R040C7ATMA1
Užsakymo kodas2986461
Produktų asortimentasCoolMOS C7
Taip pat žinoma kaipIPB60R040C7, SP001277610
Techninės specifikacijos
2 765 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 8,640 € |
| 5+ | 7,410 € |
| 10+ | 6,170 € |
| 50+ | 5,680 € |
| 100+ | 4,580 € |
| 250+ | 4,490 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
8,64 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPB60R040C7ATMA1
Užsakymo kodas2986461
Produktų asortimentasCoolMOS C7
Taip pat žinoma kaipIPB60R040C7, SP001277610
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation227W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Increased power density solutions due to smaller packages
- Higher switching frequencies possible without loss in efficiency due to low Eoss and Qg
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
227W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00181
Produkto kilmės atsekamumas