Spausdinti puslapį
IPD082N10N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.0082 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
14 994 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,830 € |
| 500+ | 0,734 € |
| 1000+ | 0,729 € |
| 5000+ | 0,647 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 5
88,00 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPD082N10N3GATMA1
Užsakymo kodas2709872RL
Produktų asortimentasOptiMOS 3
Taip pat žinoma kaipIPD082N10N3 G, SP001127824
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance0.0082ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
- OptiMOS™3 power transistor
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0082ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos IPD082N10N3GATMA1
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0003
Produkto kilmės atsekamumas