Spausdinti puslapį
IPD65R250C6XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 16.1 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPD65R250C6XTMA1
Užsakymo kodas2726054RL
Produktų asortimentasCoolMOS C6
Taip pat žinoma kaipIPD65R250C6, SP000898654
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPD65R250C6XTMA1
Užsakymo kodas2726054RL
Produktų asortimentasCoolMOS C6
Taip pat žinoma kaipIPD65R250C6, SP000898654
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id16.1A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation208.3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
Alternatyvos IPD65R250C6XTMA1
Rasta produktų: 2
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16.1A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
208.3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002