Spausdinti puslapį
IPG20N06S2L65ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 20 A, 20 A, 0.053 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPG20N06S2L65ATMA1
Užsakymo kodas2725854
Produktų asortimentasOptiMOS Series
Taip pat žinoma kaipIPG20N06S2L-65, SP000613722
Techninės specifikacijos
2 406 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,190 € |
| 10+ | 0,830 € |
| 100+ | 0,620 € |
| 500+ | 0,497 € |
| 1000+ | 0,417 € |
| 5000+ | 0,358 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,19 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPG20N06S2L65ATMA1
Užsakymo kodas2725854
Produktų asortimentasOptiMOS Series
Taip pat žinoma kaipIPG20N06S2L-65, SP000613722
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.053ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.053ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel43W
Power Dissipation P Channel43W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS Series
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.053ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
43W
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.053ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
43W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000389
Produkto kilmės atsekamumas