Spausdinti puslapį
IPL65R070C7AUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 28 A, 0.07 ohm, VSON, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPL65R070C7AUMA1
Užsakymo kodas2726062
Produktų asortimentasCoolMOS C7
Taip pat žinoma kaipIPL65R070C7, SP001032720
Techninės specifikacijos
1 104 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 4,050 € |
| 10+ | 3,740 € |
| 100+ | 3,570 € |
| 500+ | 3,510 € |
| 1000+ | 3,420 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
4,05 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPL65R070C7AUMA1
Užsakymo kodas2726062
Produktų asortimentasCoolMOS C7
Taip pat žinoma kaipIPL65R070C7, SP001032720
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Transistor Case StyleVSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation169W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
Produktų apžvalga
650V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Better efficiency due to best in class FOM RDS(on) *Eoss and RDS(on)*Qg
- Thin PAK SMD package with very low parasitic inductance to enable fast and reliable switching
- Easy to use/drive due to driver source pin for better control of the gate
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Enabling higher frequency/increased power density solutions
- System cost/size savings due to reduced cooling requirements
- Higher system reliability due to lower operating temperatures
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
28A
Transistor Case Style
VSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
169W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
5Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 3 - 168 hours
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.004196