Spausdinti puslapį
IPP052NE7N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPP052NE7N3GXKSA1
Užsakymo kodas2480849
Produktų asortimentasOptiMOS 3 Series
Taip pat žinoma kaipIPP052NE7N3 G, SP000641726
Techninės specifikacijos
8 166 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,420 € |
| 10+ | 2,240 € |
| 100+ | 1,680 € |
| 500+ | 1,310 € |
| 1000+ | 1,150 € |
| 5000+ | 1,080 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
3,42 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPP052NE7N3GXKSA1
Užsakymo kodas2480849
Produktų asortimentasOptiMOS 3 Series
Taip pat žinoma kaipIPP052NE7N3 G, SP000641726
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5200µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternatyvos IPP052NE7N3GXKSA1
Rasta produktų: 4
Produktų apžvalga
- Opti MOS™3 power transistor
- Optimized technology for synchronous rectification
- Ideal for high frequency switching and DC/DC converter
- Excellent gate charge x RDC(on) product (FOM)
- Very low on resistance RDS(on), N channel, normal level
- 100% avalanche tested, qualified according to JEDEC for target application
- 75V minimum drain source breakdown voltage (VGS=0V, 1D=1mA, 25°C)
- 5.2mohm maximum drain source on state resistance (VGSS=10V, 1D=80A, 25°C)
- 2.2ohm gate resistance
- PG-TO220-3 package, operating temperature range from -55 to 175°C
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
5200µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002008
Produkto kilmės atsekamumas