Spausdinti puslapį
IPP60R230P6XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 16.8 A, 0.207 ohm, TO-220, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPP60R230P6XKSA1
Užsakymo kodas2710007
Produktų asortimentasCoolMOS P6
Taip pat žinoma kaipIPP60R230P6, SP001017064
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPP60R230P6XKSA1
Užsakymo kodas2710007
Produktų asortimentasCoolMOS P6
Taip pat žinoma kaipIPP60R230P6, SP001017064
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id16.8A
Drain Source On State Resistance0.207ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation126W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
Alternatyvos IPP60R230P6XKSA1
Rasta produktų: 1
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
16.8A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
126W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.207ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P6
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000454
Produkto kilmės atsekamumas