Spausdinti puslapį
IPW60R070P6XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 53.5 A, 0.063 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPW60R070P6XKSA1
Užsakymo kodas2709900
Produktų asortimentasCoolMOS P6
Taip pat žinoma kaipIPW60R070P6, SP001114660
Techninės specifikacijos
229 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 6,080 € |
| 10+ | 4,970 € |
| 100+ | 3,230 € |
| 500+ | 3,040 € |
| 1000+ | 2,980 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
6,08 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPW60R070P6XKSA1
Užsakymo kodas2709900
Produktų asortimentasCoolMOS P6
Taip pat žinoma kaipIPW60R070P6, SP001114660
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id53.5A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation391W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P6
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
600V CoolMOS™ P6 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle and suitable for use in PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching stages for e.g. PC silverbox, adapter, LCD & PDP TV, lighting, server, telecom and UPS.
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- Halogen free moulded compound
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC (J-STD20 and JESD22)
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
53.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
391W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P6
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00542
Produkto kilmės atsekamumas