Spausdinti puslapį
IRF540NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRF540NPBF
Užsakymo kodas8648298
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001561906
Techninės specifikacijos
84 434 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,070 € |
| 10+ | 1,000 € |
| 100+ | 0,608 € |
| 500+ | 0,511 € |
| 1000+ | 0,476 € |
| 5000+ | 0,435 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,07 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRF540NPBF
Užsakymo kodas8648298
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001561906
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source On State Resistance0.044ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation130W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRF540NPBF is 100V single N channel HEXFET power MOSFET in 3 pin TO-220AB package. It utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit combined with fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs which are well known for the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On-resistance Rds(on) of 44mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 130W at 25°C
- Continuous drain current Id of 33A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Pritaikymas
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
130W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.044ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos IRF540NPBF
Rasta produktų: 1
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002712