Spausdinti puslapį
IRF6718L2TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 61 A, 700 µohm, DirectFET L2, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRF6718L2TR1PBF
Užsakymo kodas1740788
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source On State Resistance700µohm
Transistor Case StyleDirectFET L2
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
Power Dissipation4.3W
No. of Pins13Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
61A
Transistor Case Style
DirectFET L2
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
4.3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
25V
Drain Source On State Resistance
700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
No. of Pins
13Pins
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0004