Spausdinti puslapį
IRFB4115PBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 104 A, 0.0093 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFB4115PBF
Užsakymo kodas1698286
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001565902
Techninės specifikacijos
6 008 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,680 € |
| 10+ | 1,800 € |
| 100+ | 1,450 € |
| 500+ | 1,110 € |
| 1000+ | 1,000 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
2,68 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFB4115PBF
Užsakymo kodas1698286
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001565902
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id104A
Drain Source On State Resistance0.0093ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRFB4115PBF is a 150V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Halogen-free
Pritaikymas
Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
104A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0093ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002