Spausdinti puslapį
IRFB4332PBF
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFB4332PBF
Užsakymo kodas1436962
Taip pat žinoma kaipSP001556040
Techninės specifikacijos
485 Sandėlyje
Reikia daugiau?
.
.
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,520 € |
| 10+ | 1,920 € |
| 100+ | 1,780 € |
| 500+ | 1,470 € |
| 1000+ | 1,350 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
3,52 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFB4332PBF
Užsakymo kodas1436962
Taip pat žinoma kaipSP001556040
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation390W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRFB4332PBF is a 250V single N-channel HEXFET® Power MOSFET PDP switch designed to sustain, energy recovery and pass switch applications for plasma display panels. By adapting the latest techniques it achieves low on-resistance per silicon area and EPULSE rating.
- 175°C Operating temperature
- Low QG for fast response
- High repetitive peak current capability for reliable operation
- Short fall and rise times for fast switching
- Repetitive avalanche capability for robustness and reliability
Pritaikymas
Power Management, Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
390W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00567
Produkto kilmės atsekamumas