Spausdinti puslapį
IRFP4668PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 130 A, 0.008 ohm, TO-247AC, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFP4668PBF
Užsakymo kodas1684526
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001572854
Techninės specifikacijos
8 964 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 4,770 € |
| 5+ | 4,760 € |
| 10+ | 4,750 € |
| 50+ | 3,080 € |
| 100+ | 3,050 € |
| 250+ | 3,020 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
4,77 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFP4668PBF
Užsakymo kodas1684526
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001572854
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id130A
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleTO-247AC
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage30V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation520W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRFP4668PBF is 200V single N channel HEXFET power MOSFET in TO-247AC package. This MOSFET featured with improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness, fast switching. Applicable at high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Drain to source voltage (Vds) of 200V
- Gate to source voltage of ±30V
- On resistance Rds(on) of 8mohm at Vgs 10V
- Power dissipation Pd of 520W at 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
130A
Transistor Case Style
TO-247AC
Rds(on) Test Voltage
30V
Power Dissipation
520W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006