Spausdinti puslapį
IRFS7730-7PPBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 269 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFS7730-7PPBF
Užsakymo kodas2580028
Produktų asortimentasStrongIRFET, HEXFET
Taip pat žinoma kaipSP001552354
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRFS7730-7PPBF
Užsakymo kodas2580028
Produktų asortimentasStrongIRFET, HEXFET
Taip pat žinoma kaipSP001552354
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id269A
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.7V
Power Dissipation375W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET, HEXFET
Qualification-
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
269A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.7V
No. of Pins
7Pins
Product Range
StrongIRFET, HEXFET
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas