Spausdinti puslapį
IRG4BC30FD-SPBF
IGBT, 31 A, 1.8 V, 100 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRG4BC30FD-SPBF
Užsakymo kodas1013521
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current31A
Collector Emitter Saturation Voltage1.8V
Power Dissipation100W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktų apžvalga
The IRG4BC30FD-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with hyper-fast diode. It is optimized for medium operating frequencies 1 to 5kHz in hard switching, <gt/>20kHz in resonant mode. The generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than generation 3. The IGBT co-packaged with HEXFRED® ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations. The HEXFRED® diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing.
- Optimized for specific application conditions
- Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard generation 3 IR IGBTs
Pritaikymas
HVAC, Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
31A
Power Dissipation
100W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.003931