Spausdinti puslapį
IRG4PSC71KDPBF
IGBT, 85 A, 2.3 V, 350 W, 600 V, TO-274AA, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRG4PSC71KDPBF
Užsakymo kodas8650748
Taip pat žinoma kaipSP001544764
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRG4PSC71KDPBF
Užsakymo kodas8650748
Taip pat žinoma kaipSP001544764
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current85A
Collector Emitter Saturation Voltage2.3V
Power Dissipation350W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-274AA
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Alternatyvos IRG4PSC71KDPBF
Rasta produktų: 1
Produktų apžvalga
The IRG4PSC71KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor with ultrafast soft recovery diode. The HEXFRED™ diode optimized for operation with IGBT, to minimize EMI, noise and switching losses.
- Hole-less clip/pressure mount package
- High abort circuit rating IGBTs
- Minimum switching losses combined with low conduction losses
- Tightest parameter distribution
- IGBT co-packaged with ultrafast soft recovery anti-parallel diode
- Creepage distance increased to 5.35mm
- High current rating co-pack IGBT
- Maximum power density
Pritaikymas
Alternative Energy, Power Management, Maintenance & Repair, Motor Drive & Control
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
85A
Power Dissipation
350W
Transistor Case Style
TO-274AA
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.3V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006