Spausdinti puslapį
IRL60SL216
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRL60SL216
Užsakymo kodas3514440
Produktų asortimentasStrongIRFET HEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001558100
Techninės specifikacijos
891 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,660 € |
| 5+ | 3,590 € |
| 10+ | 3,510 € |
| 50+ | 3,440 € |
| 100+ | 3,370 € |
| 250+ | 3,290 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
3,66 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRL60SL216
Užsakymo kodas3514440
Produktų asortimentasStrongIRFET HEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001558100
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id298A
Drain Source On State Resistance0.00195ohm
Transistor Case StyleTO-262
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET HEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Produktų apžvalga
IRL60SL216 is a HEXFET® power MOSFET. Typical applications include brushed motor drive applications, BLDC motor drive applications, battery-powered circuits, half-bridge and full-bridge topologies, synchronous rectifier applications, resonant mode power supplies, OR-ing and redundant power switches, DC/DC and AC/DC converters and DC/AC inverters.
- Optimized for logic level drive
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
- Maximum power dissipation of 375W
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
298A
Transistor Case Style
TO-262
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00195ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET HEXFET Series
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00143