Spausdinti puslapį
IRLB8721PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 31 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRLB8721PBF
Užsakymo kodas1740783
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001558140
Techninės specifikacijos
2 517 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,450 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 100+ | 0,580 € |
| 500+ | 0,499 € |
| 1000+ | 0,455 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,45 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRLB8721PBF
Užsakymo kodas1740783
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001558140
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
Power Dissipation65W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternatyvos IRLB8721PBF
Rasta produktų: 3
Produktų apžvalga
The IRLB8721PBF is a 30V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high frequency synchronous buck, converters for computer processor power, optimized for UPS/inverter applications, high frequency isolated DC-DC converters with synchronous rectification for telecom and industrial use.
- Very low RDS (ON) at 4.5V VGS
- Ultra low gate impedance
- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
Pritaikymas
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002