Spausdinti puslapį
IRLML5203TRPBF
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 3 A, 0.098 ohm, SOT-23, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRLML5203TRPBF
Užsakymo kodas9103511
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001558846
Techninės specifikacijos
83 630 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,447 € |
| 50+ | 0,283 € |
| 250+ | 0,180 € |
| 1000+ | 0,114 € |
| 3000+ | 0,0924 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
2,24 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRLML5203TRPBF
Užsakymo kodas9103511
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001558846
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance0.098ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRLML5203PBF is -30V single P channel HEXFET power MOSFET in Micro3 (SOT-23) package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, ruggedness, fast switching, as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications like battery management, portable electronics, PCMCIA cards and ideal for applications where printed circuit board space is at a premium.
- Drain to source voltage (Vds) of -30V
- Gate to source voltage of ±20V
- On resistance Rds(on) of 98mohm at Vgs -10V
- Power dissipation Pd of 1.25W at 25°C
- Continuous drain current Id of -3A at vgs -10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.098ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Techniniai duomenys (1)
Alternatyvos IRLML5203TRPBF
Rasta produktų: 3
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000033
Produkto kilmės atsekamumas