Spausdinti puslapį
IRLZ44NPBF
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRLZ44NPBF
Užsakymo kodas8651418
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001568772
Techninės specifikacijos
90 794 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,190 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,582 € |
| 500+ | 0,533 € |
| 1000+ | 0,497 € |
| 5000+ | 0,441 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,19 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IRLZ44NPBF
Užsakymo kodas8651418
Produktų asortimentasHEXFET Series
Taip pat žinoma kaipSP001568772
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id47A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IRLZ44NPBF is a 55V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
- Logic level gate drive
Pritaikymas
Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
47A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos IRLZ44NPBF
Rasta produktų: 1
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002041