Spausdinti puslapį
ISC046N04NM5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 77 A, 3500 µohm, TDSON-FL, Surface Mount
4 955 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,495 € |
| 500+ | 0,378 € |
| 1000+ | 0,355 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
54,50 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.ISC046N04NM5ATMA1
Užsakymo kodas3577376RL
Produktų asortimentasOptiMOS 5
Taip pat žinoma kaipISC046N04NM5, SP005399115
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source On State Resistance3500µohm
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Transistor Case StyleTDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation50W
Power Dissipation Pd50W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
3500µohm
Transistor Case Style
TDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
50W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
Automotive Qualification Standard
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
77A
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
Power Dissipation Pd
50W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000121
Produkto kilmės atsekamumas