Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.S71KS512SC0BHV000
Užsakymo kodas4128170
Taip pat žinoma kaipSP005674091, S71KS512SC0BHV000
Techninės specifikacijos
306 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 18,960 € |
10+ | 17,780 € |
25+ | 17,160 € |
50+ | 16,790 € |
100+ | 16,620 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
18,96 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.S71KS512SC0BHV000
Užsakymo kodas4128170
Taip pat žinoma kaipSP005674091, S71KS512SC0BHV000
Techninės specifikacijos
DRAM TypeDDR
IC FunctionHyperBus MCP Memory
Supply Voltage Min1.7V
DRAM Density64Mbit
Supply Voltage Max1.95V
Data Bus Width8 bit
IC Package TypeFBGA
MCP TypeNOR Based MCP
NAND / NOR Density512Mbit
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins24Pins
Secondary Bus Width8 bit
Supply Voltage Nom1.7V
Clock Frequency Max166MHz
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max105°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
S71KS512SC0BHV000 is an MCP device that incorporates both HyperFlash™ and HyperRAM™ memories.
- 1.8V, 512Mb HyperFlash and 64Mbit HyperRAM
- HyperBus interface, 1.8V I/O, 12 bus signals, differential clock (CK/CK#)
- Chip select (CS#), 8-bit data bus (DQ[7:0])
- Read-write data strobe (RWDS), bidirectional data strobe/mask
- Output at the start of all transactions to indicate refresh latency
- Output during read transactions as read data strobe
- High performance, double-data rate (DDR), two data transfers per clock
- 65nm MirrorBit process HyperFlash device technology
- 24-ball FBGA package
- Industrial Plus temperature range from -40°C to +105°C
Techniniai duomenys
DRAM Type
DDR
Supply Voltage Min
1.7V
Supply Voltage Max
1.95V
IC Package Type
FBGA
NAND / NOR Density
512Mbit
No. of Pins
24Pins
Supply Voltage Nom
1.7V
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
105°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IC Function
HyperBus MCP Memory
DRAM Density
64Mbit
Data Bus Width
8 bit
MCP Type
NOR Based MCP
IC Case / Package
FBGA
Secondary Bus Width
8 bit
Clock Frequency Max
166MHz
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Turi būti tikslinama
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Produkto kilmės atsekamumas