Spausdinti puslapį
SPD03N50C3ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 560 V, 3.2 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.SPD03N50C3ATMA1
Užsakymo kodas1664106
Taip pat žinoma kaipSPD03N50C3, SP001117756
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.SPD03N50C3ATMA1
Užsakymo kodas1664106
Taip pat žinoma kaipSPD03N50C3, SP001117756
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds560V
Continuous Drain Current Id3.2A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.2A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
560V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001814
Produkto kilmės atsekamumas