Spausdinti puslapį
SPD04P10PGBTMA1
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 4 A, 0.644 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
4 739 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 500+ | 0,389 € |
| 1000+ | 0,328 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 500
Keli: 1
199,50 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.SPD04P10PGBTMA1
Užsakymo kodas3703604RL
Produktų asortimentasSIPMOS
Taip pat žinoma kaipSPD04P10P G, SP000212230
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4A
Drain Source On State Resistance0.644ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeSIPMOS
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Alternatyvos SPD04P10PGBTMA1
Rasta produktų: 1
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.644ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
SIPMOS
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000484