Spausdinti puslapį
SPD08P06PGBTMA1
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8.83 A, 0.23 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.SPD08P06PGBTMA1
Užsakymo kodas2212864
Taip pat žinoma kaipSPD08P06P G, SP000450534
Techninės specifikacijos
40 753 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,619 € |
| 10+ | 0,493 € |
| 100+ | 0,373 € |
| 500+ | 0,290 € |
| 1000+ | 0,254 € |
| 5000+ | 0,234 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
0,62 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.SPD08P06PGBTMA1
Užsakymo kodas2212864
Taip pat žinoma kaipSPD08P06P G, SP000450534
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id8.83A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage6.2V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation42W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The SPD08P06P G is an OptiMOS™ P-channel Power MOSFET consistently meets the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics.
- Enhancement-mode
- Avalanche rated
- Small signal packages approved to AEC Q101
- dV/dt Rated
- Qualified according to AEC-Q101
- Green device
Pritaikymas
Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Portable Devices, Communications & Networking
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
8.83A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
6.2V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0003