Spausdinti puslapį
TDB6HK180N16RRBPSA1
IGBT Module, Half Bridge, 140 A, 1.75 V, 515 W, 175 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.TDB6HK180N16RRBPSA1
Užsakymo kodas3775917
Produktų asortimentasEconoPACK 2
Taip pat žinoma kaipSP005422504, TDB6HK180N16RR
Techninės specifikacijos
15 Sandėlyje
30 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 110,370 € |
| 5+ | 102,290 € |
| 10+ | 94,210 € |
| 50+ | 92,330 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
110,37 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.TDB6HK180N16RRBPSA1
Užsakymo kodas3775917
Produktų asortimentasEconoPACK 2
Taip pat žinoma kaipSP005422504, TDB6HK180N16RR
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current140A
DC Collector Current140A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd515W
Power Dissipation515W
Operating Temperature Max175°C
Junction Temperature Tj Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPACK 2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
140A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
515W
Junction Temperature Tj Max
175°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
140A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
515W
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
-
Product Range
EconoPACK 2
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002
Produkto kilmės atsekamumas