Spausdinti puslapį
IXFN55N50F
MOSFET Transistor, N Channel, 55 A, 500 V, 0.085 ohm, 10 V, 5.5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS RF
Gamintojo detalės nr.IXFN55N50F
Užsakymo kodas1347748
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds500V
Power Dissipation600W
Continuous Drain Current Id55A
Drain Source On State Resistance0.085ohm
Power Dissipation Pd600W
Rds(on) Test Voltage10V
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max500kHz
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
RF Transistor CaseSOT-227B
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Product Range-
Produktų apžvalga
The IXFN55N50F is a N-channel Power MOSFET offers low package inductance hence easy to drive and to protect. It is designed for use with DC-to-DC converters, SMPS/RMPS, DC choppers, pulse generation and laser driver applications.
- RF capable MOSFET
- Enhancement-mode
- Double metal process for low gate resistance
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Unclamped inductive switching rated
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
500V
Continuous Drain Current Id
55A
Power Dissipation Pd
600W
Operating Frequency Min
-
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Power Dissipation
600W
Drain Source On State Resistance
0.085ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Operating Frequency Max
500kHz
RF Transistor Case
SOT-227B
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.03