Spausdinti puslapį
IXZ2210N50L
RF FET Transistor, 500 V, 10 A, 360 W, 175 MHz, SMD
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS RF
Gamintojo detalės nr.IXZ2210N50L
Užsakymo kodas1347729
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id10A
Power Dissipation360W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max175MHz
Transistor Case StyleSMD
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
500V
Power Dissipation
360W
Operating Frequency Max
175MHz
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
10A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
SMD
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.003