Spausdinti puslapį
IXZR08N120A
RF FET Transistor, 1.2 kV, 8 A, 250 W, ISOPLUS-247
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS RF
Gamintojo detalės nr.IXZR08N120A
Užsakymo kodas1347745
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Continuous Drain Current Id8A
Power Dissipation250W
Operating Frequency Min-
Operating Frequency Max-
Transistor Case StyleISOPLUS-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Produktų apžvalga
The IXZR08N120A is a N-channel RF Power MOSFET optimized for RF and high speed switching. The device offers isolated substrate, high isolation voltage (<gt/>2500V), excellent thermal transfer and increased temperature and power cycling capability.
- Easy to mount
- No insulators needed
- Low gate charge and capacitances
- Easier to drive
- Faster switching
- Low RDS (ON)
- Very low insertion inductance (<lt/>2nH)
Pritaikymas
Industrial, RF Communications, Power Management
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Power Dissipation
250W
Operating Frequency Max
-
No. of Pins
3Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
8A
Operating Frequency Min
-
Transistor Case Style
ISOPLUS-247
Operating Temperature Max
175°C
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.005