Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.DMA10P1200UZ-TRL
Užsakymo kodas3576975
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.DMA10P1200UZ-TRL
Užsakymo kodas3576975
Techninės specifikacijos
Repetitive Peak Reverse Voltage1.2kV
Average Forward Current10A
Diode ConfigurationDual Series
Forward Voltage Max1.55V
Reverse Recovery Time-
Forward Surge Current100A
Operating Temperature Max150°C
Diode Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Repetitive Peak Reverse Voltage
1.2kV
Diode Configuration
Dual Series
Reverse Recovery Time
-
Operating Temperature Max
150°C
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
Average Forward Current
10A
Forward Voltage Max
1.55V
Forward Surge Current
100A
Diode Case Style
TO-252 (DPAK)
Product Range
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0005