Spausdinti puslapį
IXFB44N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 44 A, 0.22 ohm, PLUS264, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFB44N100P
Užsakymo kodas3438373
Produktų asortimentasPolar HiPerFET Series
Techninės specifikacijos
300 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 26,790 € |
| 5+ | 24,300 € |
| 10+ | 21,800 € |
| 50+ | 21,070 € |
| 100+ | 20,340 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
26,79 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFB44N100P
Užsakymo kodas3438373
Produktų asortimentasPolar HiPerFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StylePLUS264
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation1.25kW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET Series
Qualification-
Produktų apžvalga
IXFB44N100P is a polar™ power MOSFET HiPerFET™. Typical applications are switched-mode and resonant-mode power supplies, DC-DC converters, laser drivers, AC and DC motor controls, robotics and servo controls.
- N-channel enhancement mode
- Avalanche rated
- Fast recovery intrinsic diode
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Low package inductance, easy to drive and to protect
- Plus 264™ package for clip or spring mounting
- Space savings, high power density
- Voltage rating VDSS is 1000V at TJ = 25°C to 150°C
- Current rating ID25 is 44A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 220mohm at VGS=10V, ID=0.5 ID25, time trr is 300ns at F=22A, -di/dt=100A/μs
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
44A
Transistor Case Style
PLUS264
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25kW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001361
Produkto kilmės atsekamumas