Spausdinti puslapį
IXFN100N50P
MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 100 A, 500 V, 0.049 ohm, 10 V, 5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN100N50P
Užsakymo kodas1427318
Techninės specifikacijos
163 Sandėlyje
300 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 44,260 € |
| 5+ | 38,790 € |
| 10+ | 33,310 € |
| 50+ | 32,660 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
44,26 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN100N50P
Užsakymo kodas1427318
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.049ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation1.04kW
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktų apžvalga
The IXFN100N50P is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC with aluminium nitride isolation, fast recovery diode and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast recovery diode
- Low inductance
- UL94V-0 Flammability rating
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Pritaikymas
Power Management, Lighting
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
1.04kW
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.049ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.03
Produkto kilmės atsekamumas