Spausdinti puslapį
IXFN180N15P
MOSFET Transistor, N Channel, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN180N15P
Užsakymo kodas1427321
Techninės specifikacijos
507 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 26,310 € |
| 5+ | 22,790 € |
| 10+ | 19,260 € |
| 50+ | 18,790 € |
| 100+ | 18,320 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
26,31 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN180N15P
Užsakymo kodas1427321
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source Voltage Vds150V
Drain Source On State Resistance0.011ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation680W
Operating Temperature Max175°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktų apžvalga
The IXFN180N15P is a 150V N-channel Enhancement Mode PolarHV™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
- Encapsulating epoxy meets UL94V-0 flammability
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Fast recovery diode
- Unclamped Inductive Switching (UIS) rated
- Low inductance offers easy to drive and protect
- High power density
- Easy to mount
- Space-saving s
Pritaikymas
Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
680W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
150A
Drain Source On State Resistance
0.011ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.040823