Spausdinti puslapį
IXFN24N100
MOSFET Transistor, N Channel, 24 A, 1 kV, 0.39 ohm, 10 V, 5.5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN24N100
Užsakymo kodas4905568
Techninės specifikacijos
213 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 47,590 € |
| 5+ | 41,930 € |
| 10+ | 36,220 € |
| 50+ | 34,810 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
47,59 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN24N100
Užsakymo kodas4905568
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds1kV
Drain Source On State Resistance0.39ohm
Transistor Case StyleISOTOP
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor MountingModule
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation600W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktų apžvalga
The IXFN24N100 is a HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Pritaikymas
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1kV
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Power Dissipation
600W
No. of Pins
3Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.39ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.04
Produkto kilmės atsekamumas