Spausdinti puslapį
IXFN360N10T
MOSFET Transistor, GigaMOS™, N Channel, 360 A, 100 V, 0.0026 ohm, 100 V, 4.5 V, SOT-227B
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN360N10T
Užsakymo kodas2784061
Produktų asortimentasTrench HiperFET
Techninės specifikacijos
380 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 25,990 € |
| 5+ | 22,500 € |
| 10+ | 19,010 € |
| 50+ | 18,530 € |
| 100+ | 18,040 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
25,99 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN360N10T
Užsakymo kodas2784061
Produktų asortimentasTrench HiperFET
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id360A
Drain Source Voltage Vds100V
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage100V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation830W
Power Dissipation Pd830W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrench HiperFET
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktų apžvalga
Pritaikymas
Medical
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
360A
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage
100V
Power Dissipation
830W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
830W
Product Range
Trench HiperFET
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.03