Spausdinti puslapį
IXFN44N80P
MOSFET Transistor, N Channel, 44 A, 800 V, 0.19 ohm, 10 V, 5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN44N80P
Užsakymo kodas1427323
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 40 sav.
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 30,310 € |
| 5+ | 26,340 € |
| 10+ | 22,370 € |
| 50+ | 22,130 € |
| 100+ | 21,880 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
30,31 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXFN44N80P
Užsakymo kodas1427323
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id44A
Drain Source Voltage Vds800V
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleISOTOP
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Transistor MountingModule
Power Dissipation694W
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins4Pins
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktų apžvalga
The IXFN44N80P is a PolarHV™ HiPerFET N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic diode.
- International standard package
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- UL94V-0 Flammability rating
- Unclamped inductive switching (UIS) rated
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Pritaikymas
Power Management, Industrial, Motor Drive & Control, Lighting, Thermal Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
800V
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
Power Dissipation
694W
No. of Pins
4Pins
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Continuous Drain Current Id
44A
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Case Style
ISOTOP
Transistor Mounting
Module
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos IXFN44N80P
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.03
Produkto kilmės atsekamumas