Spausdinti puslapį
IXTH24N50
Power MOSFET, N Channel, 500 V, 24 A, 0.23 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXTH24N50
Užsakymo kodas9359524
Produktų asortimentasMegaMOS Series
Techninės specifikacijos
235 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 9,600 € |
| 5+ | 7,880 € |
| 10+ | 6,850 € |
| 50+ | 6,360 € |
| 100+ | 6,050 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
9,60 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXTH24N50
Užsakymo kodas9359524
Produktų asortimentasMegaMOS Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds500V
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source On State Resistance0.23ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeMegaMOS Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Produktų apžvalga
The IXTH24N50 is a MegaMOS™ single N-channel standard Power MOSFET offers fast switching time and high power density. It is suitable for switch-mode and resonant-mode power supplies and DC choppers.
- International standard packages
- Low RDS (ON) HDMOS™ process
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Low package inductance (<lt/>5nH) - Easy to drive and to protect
- Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
- Space saving
Pritaikymas
Power Management, Motor Drive & Control
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
24A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Drain Source Voltage Vds
500V
Drain Source On State Resistance
0.23ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
MegaMOS Series
MSL
-
Techniniai duomenys (3)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.006