Spausdinti puslapį
IXTP34N65X2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXTP34N65X2
Užsakymo kodas3438424
Produktų asortimentasX2-Class
Techninės specifikacijos
339 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 6,250 € |
| 10+ | 3,510 € |
| 100+ | 3,400 € |
| 500+ | 2,690 € |
| 1000+ | 2,640 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
6,25 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasIXYS SEMICONDUCTOR
Gamintojo detalės nr.IXTP34N65X2
Užsakymo kodas3438424
Produktų asortimentasX2-Class
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source On State Resistance0.096ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation540W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeX2-Class
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
540W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.096ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
X2-Class
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.004