Spausdinti puslapį
IXFH60N65X2-4
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 60 A, 0.052 ohm, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasLITTELFUSE
Gamintojo detalės nr.IXFH60N65X2-4
Užsakymo kodas3996602
Produktų asortimentasHiPerFET Series
Techninės specifikacijos
359 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 10,610 € |
| 5+ | 8,550 € |
| 10+ | 6,480 € |
| 50+ | 6,260 € |
| 100+ | 6,030 € |
| 250+ | 5,810 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
10,61 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasLITTELFUSE
Gamintojo detalės nr.IXFH60N65X2-4
Užsakymo kodas3996602
Produktų asortimentasHiPerFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.052ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation780W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET Series
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.052ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
HiPerFET Series
SVHC
To Be Advised
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0001
Produkto kilmės atsekamumas