Spausdinti puslapį
IXTN110N20L2
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 200 V, 0.024 ohm, 10 V, 4.5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
285 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 38,870 € |
| 5+ | 34,980 € |
| 10+ | 29,060 € |
| 50+ | 28,480 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
38,87 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasLITTELFUSE
Gamintojo detalės nr.IXTN110N20L2
Užsakymo kodas3930140
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.024ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation735W
Power Dissipation Pd735W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktų apžvalga
N-channel enhancement mode guaranteed FBSOA avalanche rated suitable for use in programmable loads, current regulators, DC-DC converters, battery chargers, DC choppers, temperature and lighting controls applications.
- Linear L2™ power MOSFET w/extended FBSOA
- Designed for linear operation
- Guaranteed FBSOA at 75°C
- Moulding epoxy meets UL94 V-0 flammability classification
- MiniBLOC with aluminium nitride isolation
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
735W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.024ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
735W
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas