Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasMICRON
Gamintojo detalės nr.MT46H32M16LFBF-5 IT:C
Užsakymo kodas3530758
Techninės specifikacijos
748 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 4,560 € |
10+ | 4,250 € |
25+ | 4,120 € |
50+ | 4,030 € |
100+ | 3,930 € |
250+ | 3,800 € |
500+ | 3,710 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
4,56 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasMICRON
Gamintojo detalės nr.MT46H32M16LFBF-5 IT:C
Užsakymo kodas3530758
Techninės specifikacijos
DRAM TypeMobile LPDDR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration32M x 16bit
Clock Frequency Max200MHz
IC Case / PackageVFBGA
No. of Pins60Pins
Supply Voltage Nom1.8V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktų apžvalga
MT46H32M16LFBF-5 IT:C is a mobile LPDDR SDRAM. The 512Mb mobile low-power DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 536,870,912 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM. Each of the x16’s 134,217,728-bit banks are organized as 8192 rows by 1024 columns by 16 bits. Each of the x32’s 134,217,728-bit banks are organized as 8192 rows by 512 columns by 32 bits.
- 1.8/1.8V operating voltage, differential clock inputs (CK and CK#)
- Bidirectional data strobe per byte of data (DQS)
- Internal, pipelined double data rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle
- Commands entered on each positive CK edge, clock stop capability
- DQS edge-aligned with data for READs; centre aligned with data for WRITEs
- 4 internal banks for concurrent operation, data masks (DM) for masking write data; one mask per byte
- Programmable burst lengths (BL): 2, 4, 8, or 16, concurrent auto precharge option is supported
- Auto refresh and self refresh modes, 1.8V LVCMOS-compatible inputs
- 200MHz clock rate, 5.0ns access time, 32 Meg x 16 configuration, JEDEC-standard addressing
- 60-ball (8mm x 9mm) VFBGA package, -40°C to +85°C industrial operating temperature range
Techniniai duomenys
DRAM Type
Mobile LPDDR
Memory Configuration
32M x 16bit
IC Case / Package
VFBGA
Supply Voltage Nom
1.8V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
512Mbit
Clock Frequency Max
200MHz
No. of Pins
60Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Singapore
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Singapore
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85423231
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00147