Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasMICRON
Gamintojo detalės nr.MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Užsakymo kodas3530742
Techninės specifikacijos
48 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 14,460 € |
10+ | 13,380 € |
25+ | 13,200 € |
50+ | 12,760 € |
100+ | 11,430 € |
250+ | 11,090 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
14,46 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasMICRON
Gamintojo detalės nr.MT53E256M32D2DS-053 WT:B
Užsakymo kodas3530742
Techninės specifikacijos
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density8Gbit
Memory Configuration256M x 32bit
Clock Frequency Max1.866GHz
IC Case / PackageWFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-30°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktų apžvalga
MT53E256M32D2DS-053 WT:B is a 8Gb mobile low-power DDR4 SDRAM with low VDDQ (LPDDR4). It is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory. The device is internally configured with x16 I/O, 8-banks. Each of the x16’s 536,870,912bit banks is organized as 32,768 rows by 1024 columns by 16bits.
- 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage range, 256 Meg x 32 configuration
- LPDDR4, 2 die count, 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- 8Gb total density, 3733Mb/s data rate per pin
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies, programmable and on-the-fly burst lengths
- On-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh, selectable output drive strength, clock-stop capability
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -30°C to +85°C
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
256M x 32bit
IC Case / Package
WFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-30°C
Product Range
-
Memory Density
8Gbit
Clock Frequency Max
1.866GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Singapore
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Singapore
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001519