Spausdinti puslapį
MPIM650H217TG5
IGBT Module, Half Bridge, 650 A, 1.85 V, 4.16 kW, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasMULTICOMP PRO
Gamintojo detalės nr.MPIM650H217TG5
Užsakymo kodas3579389
Techninės specifikacijos
6 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 278,190 € |
| 2+ | 264,360 € |
| 3+ | 258,320 € |
| 5+ | 245,340 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
278,19 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasMULTICOMP PRO
Gamintojo detalės nr.MPIM650H217TG5
Užsakymo kodas3579389
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current650A
DC Collector Current650A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd4.16kW
Power Dissipation4.16kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.7kV
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
No. of Pins10Pins
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 5 [Trench]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
Dual N Channel
Continuous Collector Current
650A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
4.16kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
To Be Advised
IGBT Configuration
Half Bridge
DC Collector Current
650A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
4.16kW
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.7kV
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
10Pins
IGBT Technology
IGBT 5 [Trench]
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Great Britain
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):1.8