Spausdinti puslapį
BC847BPN,115
Bipolar Transistor Array, General Purpose, NPN, PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
37 649 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,208 € |
| 50+ | 0,152 € |
| 100+ | 0,0725 € |
| 500+ | 0,0561 € |
| 1500+ | 0,0397 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
1,04 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.BC847BPN,115
Užsakymo kodas1081233
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max NPN45V
Collector Emitter Voltage Max PNP45V
Continuous Collector Current NPN100mA
Continuous Collector Current PNP100mA
Power Dissipation NPN200mW
Power Dissipation PNP200mW
DC Current Gain hFE Min NPN200hFE
DC Current Gain hFE Min PNP200hFE
Transistor Case StyleSC-88
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN100MHz
Transition Frequency PNP100MHz
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The BC847BPN from NXP is a surface mount NPN/PNP general purpose transistor in SOT-363 (SC-88) package. This transistor is characterized with low collector capacitance, low collector to emitter saturation voltage and closely matched current gain. It reduces number of components, reduces board space and there is no mutual interference between transistors. BC847BPN suitable for general purpose switching and amplification.
- Collector to emitter voltage is 45V
- Collector current (Ic) is 100mA
- Current gain of 200 at VCE 5V
- Power dissipation (Pd) is 250mW per transistor
- Ambient temperature range from -65°C to 150°C
- Collector emitter saturation voltage of 300mV at 100mA collector current
- Transition frequency of 100MHz
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN, PNP
Collector Emitter Voltage Max PNP
45V
Continuous Collector Current PNP
100mA
Power Dissipation PNP
200mW
DC Current Gain hFE Min PNP
200hFE
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
100MHz
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
45V
Continuous Collector Current NPN
100mA
Power Dissipation NPN
200mW
DC Current Gain hFE Min NPN
200hFE
Transistor Case Style
SC-88
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
100MHz
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos BC847BPN,115
Rasta produktų: 2
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Niger
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Niger
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000006