Spausdinti puslapį
BSP225,115
Power MOSFET, P Channel, 250 V, 200 mA, 15 ohm, SOT-223, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 18 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,140 € |
| 10+ | 0,782 € |
| 50+ | 0,623 € |
| 200+ | 0,463 € |
| 500+ | 0,390 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,14 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.BSP225,115
Užsakymo kodas1758084
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id200mA
Drain Source On State Resistance15ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation1.5W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktų apžvalga
The BSP225,115 is a -250V P-channel Enhancement Mode vertical D-MOS Transistor with high speed switching and designed for use in relays, line transformer drivers applications.
- Low RDS (on)
- Directly interface with CMOS or TTL gate devices
- 150°C Junction temperature
Pritaikymas
Power Management, Industrial
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
200mA
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
15ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (3)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000262
Produkto kilmės atsekamumas