Spausdinti puslapį
BUK7214-75B,118
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 69 A, 0.0126 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
1 085 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,780 € |
| 10+ | 1,780 € |
| 100+ | 1,240 € |
| 500+ | 1,020 € |
| 1000+ | 0,883 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
2,78 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.BUK7214-75B,118
Užsakymo kodas2777579
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id69A
Drain Source On State Resistance0.0126ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation158W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (15-Jan-2018)
Alternatyvos BUK7214-75B,118
Rasta produktų: 2
Produktų apžvalga
BUK7214-75B,118 is a N-channel TrenchMOS standard level FET. It is a standard-level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications. Applications include 12V, 24V and 42V loads, automotive systems, general purpose power switching, motors, lamps and solenoids.
- AEC Q101 compliant
- Low conduction losses due to low on-state resistance
- Suitable for standard level gate drive sources
- Suitable for thermally demanding environments due to 185°C rating
- 3 leads plastic single-ended surface-mounted package (DPAK)
- Junction temperature range from -55 to 185°C
- Drain-source breakdown voltage is 75V at ID = 0.25mA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 33mohm at VGS = 10V; ID = 25A; Tj = 185°C
- Source-drain voltage is 1.2V at IS = 25A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Rise time is 114ns
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
69A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
158W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (15-Jan-2018)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0126ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (15-Jan-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000426
Produkto kilmės atsekamumas