Spausdinti puslapį
BUK964R2-55B,118
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 75 A, 3700 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.BUK964R2-55B,118
Užsakymo kodas4319465
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.BUK964R2-55B,118
Užsakymo kodas4319465
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance3700µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
3700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas