Spausdinti puslapį
NX1029XH
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 330 mA, 330 mA, 1 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 10 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 4000+ | 0,0734 € |
| 12000+ | 0,0639 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Full Reel)
Minimalus: 4000
Keli: 4000
293,60 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.NX1029XH
Užsakymo kodas4319488
Techninės specifikacijos
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel330mA
Continuous Drain Current Id P Channel330mA
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-666
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel500mW
Power Dissipation P Channel500mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
330mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
500mW
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
330mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Transistor Case Style
SOT-666
Power Dissipation N Channel
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00002
Produkto kilmės atsekamumas