Spausdinti puslapį
PBSS4160DS,115
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 60 V, 1 A, 420 mW
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
1 425 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,372 € |
| 10+ | 0,237 € |
| 100+ | 0,161 € |
| 500+ | 0,123 € |
| 1000+ | 0,112 € |
| 5000+ | 0,0915 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
1,86 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.PBSS4160DS,115
Užsakymo kodas1757960
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN60V
Collector Emitter Voltage Max PNP-
Continuous Collector Current NPN1A
Continuous Collector Current PNP-
Power Dissipation NPN420mW
Power Dissipation PNP-
DC Current Gain hFE Min NPN500hFE
DC Current Gain hFE Min PNP-
Transistor Case StyleSOT-457
No. of Pins6Pins
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Transition Frequency NPN220MHz
Transition Frequency PNP-
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The PBSS4160DS,115 is a dual NPN breakthrough small signal (BISS) Bipolar Transistor Array in a surface-mount plastic package. It is suitable for dual low power switch applications. It utilizes required smaller printed-circuit board (PCB) area than for conventional transistors.
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability IC and ICM
- High collector current gain (hFE) at high IC
- High efficiency due to less heat generation
- PBSS5160DS dual PNP complement
Pritaikymas
Automotive, Motor Drive & Control, Power Management, Industrial
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current PNP
-
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min PNP
-
No. of Pins
6Pins
Operating Temperature Max
150°C
Transition Frequency PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Voltage Max NPN
60V
Continuous Collector Current NPN
1A
Power Dissipation NPN
420mW
DC Current Gain hFE Min NPN
500hFE
Transistor Case Style
SOT-457
Transistor Mounting
Surface Mount
Transition Frequency NPN
220MHz
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000006
Produkto kilmės atsekamumas