Spausdinti puslapį
PMGD290UCEAX
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
27 114 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,447 € |
| 10+ | 0,281 € |
| 100+ | 0,179 € |
| 500+ | 0,134 € |
| 1000+ | 0,110 € |
| 5000+ | 0,0904 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 5
Keli: 5
2,24 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasNEXPERIA
Gamintojo detalės nr.PMGD290UCEAX
Užsakymo kodas2357127
Techninės specifikacijos
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel725mA
Continuous Drain Current Id P Channel725mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.29ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.29ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel445mW
Power Dissipation P Channel445mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The PMGD290UCEA is a complementary N/P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
Pritaikymas
Industrial, Automotive, Power Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
725mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.29ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
445mW
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
725mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
445mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00001